惠斯通電橋電路（現(xiàn)在用于測(cè)量支撐結(jié)構(gòu)表面的應(yīng)變）由查爾斯·惠斯通爵士于1843年改進(jìn)和推廣，這是眾所周知的，但薄膜真空沉積在這個(gè)舊的久經(jīng)考驗(yàn)的電路中的應(yīng)用還不是很好理解。薄膜濺射沉積工藝對(duì)行業(yè)來說并不是什么新鮮事。從制造復(fù)雜的微處理器到制造用于應(yīng)變片的精密電阻器，許多應(yīng)用都使用這種技術(shù)。對(duì)于應(yīng)變片，直接濺射到受力基板上的薄膜應(yīng)變片是一種選擇，可以消除“粘合應(yīng)變片”（也稱為箔應(yīng)變片，靜置應(yīng)變片和硅應(yīng)變片）面臨的許多問題。

FASB-5kg稱重傳感器Transcell稱重傳感器的過載保護(hù)是什么意思？

　　每個(gè)稱重傳感器都設(shè)計(jì)為以受控方式在負(fù)載下偏轉(zhuǎn)。工程師優(yōu)化這種偏轉(zhuǎn)，以大限度地提高傳感器的靈敏度，同時(shí)確保結(jié)構(gòu)在其“彈性”區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。一旦負(fù)載被移除，隨其彈性區(qū)域偏轉(zhuǎn)的金屬結(jié)構(gòu)將恢復(fù)到其初始狀態(tài)。超過此彈性區(qū)域的結(jié)構(gòu)稱為“過載”。過載的傳感器經(jīng)歷“塑性變形”，其中結(jié)構(gòu)變形，不再返回其初始狀態(tài)。一旦塑性變形，傳感器將不再提供與所施加負(fù)載成比例的線性輸出。在大多數(shù)情況下，它是性和不可逆轉(zhuǎn)的損壞。“過載保護(hù)”是一種設(shè)計(jì)功能，它以機(jī)械方式將FASB-5kg稱重傳感器Transcell傳感器的總撓度限制在其臨界載荷限值以下，從而保護(hù)傳感器免受意外的高靜態(tài)或動(dòng)態(tài)載荷的影響，否則這些載荷會(huì)導(dǎo)致塑性變形。